半導(dao)體二極管主要是依靠(kao)PN結而工作(zuo)的(de)。與PN結不可分割的(de)點接觸型(xing)和(he)肖特基型(xing)，也被列入一般的(de)二極管的(de)范圍(wei)內(nei)。包括(kuo)這兩(liang)種型(xing)號在內(nei)，根據PN結構造面的(de)特點，把晶體二極管分類如(ru)下：

　　點接觸型

　　點接觸(chu)型(xing)二極管(guan)是在鍺或硅材料的單(dan)晶片上壓觸(chu)一根金(jin)屬針后，再通過電(dian)流(liu)(liu)法而(er)形成的。因此，其PN結的靜電(dian)容量小，適用于(yu)高頻電(dian)路(lu)。但是，與面結型(xing)相比(bi)較，點接觸(chu)型(xing)二極管(guan)正向特性和反向特性都差(cha)，因此，不(bu)能使(shi)用于(yu)大電(dian)流(liu)(liu)和整流(liu)(liu)。因為構造簡單(dan)，所以價格便宜。

　　面接觸型

　　面接觸型或稱面積型二(er)極管的PN結是用(yong)合金法(fa)或擴散法(fa)做成(cheng)的，由(you)于這種(zhong)二(er)極管的PN結面積大(da)，可承受較大(da)電流，但(dan)極間電容(rong)也大(da)。這類器件適用(yong)于整流，而不(bu)宜用(yong)于高頻率電路(lu)中(zhong)。

　　鍵型

　　鍵(jian)型(xing)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)是在鍺或(huo)硅的(de)單晶片上(shang)熔(rong)金(jin)或(huo)銀(yin)的(de)細絲而形(xing)成的(de)。其(qi)特性(xing)介于(yu)點接(jie)觸型(xing)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)和合金(jin)型(xing)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)之間。與點接(jie)觸型(xing)相比較，雖然鍵(jian)型(xing)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)的(de)PN結電容量稍有(you)增加，但正向特性(xing)特別優良。多作開(kai)關用，有(you)時(shi)也被應用于(yu)檢波和電源整流(liu)（不大于(yu)50mA）。在鍵(jian)型(xing)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)中，熔(rong)接(jie)金(jin)絲的(de)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)有(you)時(shi)被稱(cheng)金(jin)鍵(jian)型(xing)，熔(rong)接(jie)銀(yin)絲的(de)二(er)極(ji)管(guan)(guan)(guan)有(you)時(shi)被稱(cheng)為(wei)銀(yin)鍵(jian)型(xing)。

　　合金型

　　在N型鍺或硅的(de)單晶片上，通(tong)過加(jia)入(ru)合金銦、鋁等(deng)金屬的(de)方法制作PN結而形成的(de)。正向電壓降小，適于(yu)大(da)(da)電流(liu)(liu)(liu)整流(liu)(liu)(liu)。因其PN結反向時靜(jing)電容量大(da)(da)，所以不適于(yu)高頻檢波和高頻整流(liu)(liu)(liu)。

　　擴散型

　　在高溫(wen)的(de)(de)P型(xing)(xing)(xing)雜質氣體中，加熱N型(xing)(xing)(xing)鍺或硅(gui)的(de)(de)單晶片(pian)，使單晶片(pian)表(biao)面的(de)(de)一部變成P型(xing)(xing)(xing)，以(yi)此法PN結。因(yin)PN結正向電壓降小，適(shi)用于大電流(liu)整流(liu)。最 近，使用大電流(liu)整流(liu)器的(de)(de)主流(liu)已由硅(gui)合金型(xing)(xing)(xing)轉(zhuan)移到(dao)硅(gui)擴散型(xing)(xing)(xing)。

　　臺面型

　　PN結的(de)制作方法(fa)雖然與擴(kuo)(kuo)散型(xing)相同(tong)，但是，只保留PN結及其必要(yao)的(de)部分，把(ba)(ba)不必要(yao)的(de)部分用藥(yao)品(pin)腐(fu)蝕(shi)掉。其剩余的(de)部分便呈現出(chu)臺(tai)面形，因而得(de)名。初(chu)期生產的(de)臺(tai)面型(xing)，是對(dui)(dui)半導體材料使用擴(kuo)(kuo)散法(fa)而制成的(de)。因此，又(you)把(ba)(ba)這種臺(tai)面型(xing)稱為擴(kuo)(kuo)散臺(tai)面型(xing)。對(dui)(dui)于(yu)這一類型(xing)來說，似乎大電(dian)(dian)流整(zheng)流用的(de)產品(pin)型(xing)號很(hen)少(shao)，而小電(dian)(dian)流開關(guan)用的(de)產品(pin)型(xing)號卻很(hen)多。

　　平面型

　　在半導(dao)(dao)體單晶片（主要地(di)是(shi)(shi)N型(xing)(xing)(xing)硅(gui)單晶片）上(shang)，擴散(san)P型(xing)(xing)(xing)雜質，利用(yong)(yong)硅(gui)片表(biao)面(mian)氧化(hua)膜(mo)的屏蔽作用(yong)(yong)，在N型(xing)(xing)(xing)硅(gui)單晶片上(shang)僅選擇性地(di)擴散(san)一部(bu)分而(er)形成的PN結(jie)。因(yin)此，不需要為調(diao)整PN結(jie)面(mian)積(ji)的藥(yao)品腐蝕作用(yong)(yong)。由于半導(dao)(dao)體表(biao)面(mian)被制(zhi)作得平整，故(gu)而(er)得名(ming)。并且，PN結(jie)合的表(biao)面(mian)，因(yin)被氧化(hua)膜(mo)覆蓋，所以公認為是(shi)(shi)穩(wen)定性好和壽命長的類型(xing)(xing)(xing)。最(zui)初，對于被使用(yong)(yong)的半導(dao)(dao)體材料是(shi)(shi)采用(yong)(yong)外(wai)延法(fa)形成的，故(gu)又把平面(mian)型(xing)(xing)(xing)稱為外(wai)延平面(mian)型(xing)(xing)(xing)。對平面(mian)型(xing)(xing)(xing)二極管而(er)言，似乎使用(yong)(yong)于大電流整流用(yong)(yong)的型(xing)(xing)(xing)號(hao)很少，而(er)作小電流開關用(yong)(yong)的型(xing)(xing)(xing)號(hao)則很多。

合金擴散型

　　它是(shi)合金型的(de)(de)一種。合金材(cai)料是(shi)容易被擴散的(de)(de)材(cai)料。把難以制作(zuo)的(de)(de)材(cai)料通過巧妙地摻配雜質，就能與(yu)合金一起過擴散，以便在(zai)已經形成的(de)(de)PN結中獲(huo)得雜質的(de)(de)恰當(dang)的(de)(de)濃度(du)分布。此法適用于制造(zao)高靈敏度(du)的(de)(de)變容二極管。

　　外延型

　　用外(wai)延面長的過程制(zhi)造(zao)(zao)PN結而形成的二極管(guan)。制(zhi)造(zao)(zao)時需要非常高超的技術。因(yin)能隨意地(di)控(kong)制(zhi)雜質的不同濃(nong)度的分布，故適(shi)宜于制(zhi)造(zao)(zao)高靈(ling)敏(min)度的變容(rong)二極管(guan)。

　　肖特基

　　基(ji)(ji)本原理是：在金屬(shu)（例如鉛）和(he)半(ban)導體（N型硅片）的(de)接(jie)觸面上(shang)，用(yong)已形成的(de)肖特(te)基(ji)(ji)來阻擋(dang)反向電壓。肖特(te)基(ji)(ji)與(yu)PN結(jie)的(de)整流(liu)作用(yong)原理有(you)根本性的(de)差異。其耐壓程度只有(you)40V左(zuo)右。其特(te)長是：開(kai)關(guan)速度非常快(kuai)：反向恢(hui)復時間trr特(te)別地(di)短。因此，能制(zhi)作開(kai)關(guan)二極管(guan)和(he)低壓大電流(liu)整流(liu)二極管(guan)。